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    壓敏電壓和電阻器厚度的關系:

    對ZnO壓敏電阻器,加在每晶界上的電壓約為3.5V,所以當晶粒大小一定時,壓敏電阻器越厚,壓敏電壓越高,關系如下:

    U=UgbNgt , E0.5=U/t

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    ZnO 壓敏電阻的微觀結構分析發(fā)現(xiàn),形成的四個主要 成分是 ZnO、尖晶石、焦綠石和一些富 Bi 相(圖 3)。圖 中也指明了組分存在的部位,還存在一些用現(xiàn)有技術尚不 易檢測出來的其它次要相。 ZnO 壓敏電阻的典型晶粒尺寸在15和20μm 之間, 并且也總是伴有雙晶。SiO2的存在抑制晶粒生長,而 TiO2  和 BaO 則加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時起作用,而尖晶石相在高溫 時有利。當用鹽酸浸蝕晶粒時,中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡。 燒結形成的 ZnO 晶粒是 ZnO 壓敏電阻的基本構成單純 ZnO 是具有線性 I-U 特性的非化學計量 n 型半導 體。進入  ZnO  中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是  Bi 2O3。這些氧化物的引入,在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷,施主或類施主缺陷支配著耗盡層, 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關的缺陷類 型是鋅空位(V Zn'、V Zn'')、氧空位(V o 、V o )、填隙鋅

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